产品分类 |
分离式半导体产品 >> FET - 单 |
STD10NM50N PDF |
|
其它有关文件 |
STD10NM50N View All Specifications
|
标准包装 |
1 |
系列 |
MDmesh™ |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
|
FET 特点 |
标准
|
漏极至源极电压(Vdss) |
500V
|
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
7A
|
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
630 毫欧 @ 3.5A,10V
|
Id 时的 Vgs(th)(最大) |
4V @ 250µA
|
闸电荷(Qg) @ Vgs |
17nC @ 10V
|
输入电容 (Ciss) @ Vds |
450pF @ 50V
|
功率 - 最大 |
70W
|
安装类型 |
表面贴装
|
封装/外壳 |
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
|
供应商设备封装 |
D-Pak
|
包装 |
标准包装 |
其它名称 |
497-10954-6
|